DOWAエレクトロニクスの深紫外LED(UV LED)に特化したサテライトサイトです。
UV LEDの中でも波長300nmから340nm
(308nm,310nm,325nm,340nm)に対応中。
当社ではその他にガリウム、インジウム、各種高純度金属、GaAsウエハ、赤色~赤外LED等の製品も製造・販売しております。
詳細は右記のリンクより覧いただけます。
UV LEDとは?
DOWAエレクトロニクスのDoUVLEDsなら…
(DoUVLEDsはDOWAの紫外LEDの登録商標です)
Latest Information
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- 紫外線は光重合開始剤を活性化させ、ラジカル分子、水素イオン等の重合反応を促進する物質を生成します。これらが樹脂(インク・接着剤など)の主剤であるモノマーやオリゴマーに働きかけることで硬化が進行します。LED光源は熱の放射が少ないため、熱に弱い素材にも適用でき、また、無溶剤のため溶剤の揮発による汚染等もありません。
- 白斑や乾癬など向けのターゲット型の紫外線治療器の小型化にはLEDが最適です。UVBナローバンドランプの代替は311nm、エキシマランプの代替は308nmの紫外LEDが主に用いられますが、DoUVLEDsは両方の波長に対応可能です。
- 物質の紫外線を吸収したり、紫外線により励起され蛍光発光したりする性質を利用して、その物質の有無の検出、定量分析に利用されます。
従来光源をLEDに交換することにより小型、メンテナンスフリー、間欠動作時の細かなon/ offが可能となります。このような特徴は特に医療分野で推進されているPOCT(Point of Care Testing)の実現に大きく貢献します。
- 卓越したエピタキシャル成長技術・加工技術によって製造された高品質ベアチップです。チップサイズは3種類、実装方法はフリップチップとなっており、オプションで通常の実装方法が可能なサブマウント付きもご選択いただけます。
- 金属キャンによる堅牢な高信頼・気密(ハーメチック)仕様です。口径はφ9mmとφ5mmがあり、配光角は4°~145°(半値角)からお選びいただけます。
- 3.5mm×3.5mmの高放熱AlNのパッケージに、高性能ベアチップを実装しました。気密構造の実現により外部環境の湿度によるベアチップの劣化を減らしています。
モジュール
- 気密SMDをアレー状に放熱性に優れた基板に実装しました。
実験、試作、シュミレーション等の用途向けに最適です。
- 2022/12/16
PHOTONICS WEST 2023 出展のご案内(San Francisco, 2023/1/31-2/2) - 2023年1月31~2月2日 米国・カリフォルニア サンフランシスコにおいて開催される PHOTONICS WEST 2023に出展いたします。 弊社ブースでは赤外LED製品、深紫外LED製品およびGaAs基板を展示いたします。 皆様のお越しを心よりお待ち申し上げております。
- 2022/10/05
- electronica 2022 出展 / ミュンヘン, 2022/11/15-18
- 2020/02/28
- 200nm帯深紫外LED生産終了について
- 2020/01/21
- PHOTONICS WEST 2020 出展のご案内(San Francisco, 2020/2/4-6)
- 2020年2月4~6日 米国・カリフォルニア サンフランシスコにおいて開催される PHOTONICS WEST 2020に出展いたします。 弊社ブースでは赤外LED製品、深紫外LED製品およびGaAs基板を展示いたします。 皆様のお越しを心よりお待ち申し上げております。
- 2019/03/11
- LASER World of PHOTONICS CHINA 出展のご案内(上海 2019/3/20-22)
- 2019年3月20~22日 中国・上海において開催されるLASER World of PHOTONICS CHINAに出展いたします。 弊社ブースではGaAs基板、深紫外LEDのベアチップ、SMD、TOキャンタイプ製品、また赤外LED製品を展示いたします。 皆様のお越しを心よりお待ち申し上げております。